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AS4C32M8D1-5TCN

制造商:Alliance Memory, Inc.
批号:新批次
描述:IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
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参数信息

参数	参数值
包装	托盘
系列	-
零件状态	停產
存储器类型	易失
存储器格式	DRAM
技术	SDRAM - DDR
存储容量	256Mb （32M x 8）
存储器接口	并联
时钟频率	200MHz
写周期时间 - 字，页	15ns
访问时间	700ps
电压 - 电源	2.3V ~ 2.7V
工作温度	0°C ~ 70°C（TA）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装	66-TSOP II

商品其它信息

优势价格，AS4C32M8D1-5TCN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
	70T3519S166BC8	Renesas Electronics America Inc.	存储器	PDF数据手册	IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA	暂无价格	参考库存:40529
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	CY7C1520KV18-250BZXI	Cypress Semiconductor Corp	存储器	PDF数据手册	IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA	暂无价格	参考库存:40545
	70V3599S166BFG8	Renesas Electronics America Inc.	存储器	PDF数据手册	IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA	暂无价格	参考库存:40553
	CY14B104NA-BA45XE	Cypress Semiconductor Corp	存储器	PDF数据手册	IC NVSRAM 4M PARALLEL	暂无价格	参考库存:40561

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