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UGBT、MOSFET - 单

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NGTB20N60L2TF1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 20A TO3PF
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.65V @ 15V，20A
功率 - 最大值
64W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
84nC
25°C 时 Td（开/关）值
60ns/193ns
测试条件
300V，20A，30 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
70ns
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装
TO-3PF-3
商品其它信息
优势价格，NGTB20N60L2TF1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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