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UGBT、MOSFET - 单
FGA15N120ANDTU参考图片

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FGA15N120ANDTU

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 1200V 24A 200W TO3P
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
24A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
45A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
3.2V @ 15V,15A
功率 - 最大值
200W
开关能量
3.27mJ(开),600µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
120nC
25°C 时 Td(开/关)值
90ns/310ns
测试条件
600V,15A,20 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
330ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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