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UGBT、MOSFET - 单
HGT1S2N120CN参考图片

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HGT1S2N120CN

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
13A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
20A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.4V @ 15V，2.6A
功率 - 最大值
104W
开关能量
96µJ（开），355µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
30nC
25°C 时 Td（开/关）值
25ns/205ns
测试条件
960V，2.6A，51 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
960V，2.6A，51 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装
TO-262
商品其它信息
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