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FET，MOSFET - 阵列
SI5513CDC-T1-E3参考图片

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SI5513CDC-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A，3.7A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
55 毫欧 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
4.2nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
285pF @ 10V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
1206-8 ChipFET™
商品其它信息
优势价格，SI5513CDC-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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