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FET,MOSFET - 阵列
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SH8MA2GZETB

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.5A(Ta)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
80mOhm @ 4.5A,10V,82mOhm @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
3nC,6.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
125pF,305pF @ 15V
功率 - 最大值
1.4W(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
优势价格,SH8MA2GZETB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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