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FET,MOSFET - 阵列
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EPC2102

  • EPC
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  • GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
eGaN®
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
23A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
4.4 毫欧 @ 20A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
6.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
830pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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