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FET,MOSFET - 单个

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R6024ENZM12C8

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 650V 35A TO PKG
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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
最後搶購
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
165 毫欧 @ 11.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
70nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1.65nF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
120W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3
封装/外壳
TO-3P-3 整包
商品其它信息
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