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FET，MOSFET - 单个
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IPL65R650C6SATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
CoolMOS™ C6
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
650 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
21nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
440pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
56.8W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Thin-PAK（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
商品其它信息
优势价格，IPL65R650C6SATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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